IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 87 A, Cavi lunghi TO-247

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Codice RS:
330-470
Codice costruttore:
STGWA30M65DF2AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continuativa collettore

87 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Numero di transistor

1

Dissipazione di potenza massima

441 W

Tipo di package

Cavi lunghi TO-247

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Esente

Paese di origine:
CN
L'IGBT di STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando un'avanzata struttura proprietaria trench gate fieldtop. Il dispositivo fa parte degli IGBT della serie M, che rappresentano un equilibrio ottimale tra le prestazioni e l'efficienza del sistema inverter in cui la bassa perdita e la funzionalità di cortocircuito sono essenziali.

Distribuzione stretta dei parametri
Bassa resistenza termica
Diodo antiparallelo morbido e a recupero molto rapido

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