IGBT STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG, VCE 650 V, IC 87 A, TO-247 LL, 3 Pin Foro passante

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Codice RS:
330-470
Codice costruttore:
STGWA30M65DF2AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continua collettore Ic

87A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Numero transistor

1

Dissipazione di potenza massima Pd

441W

Tipo di package

TO-247 LL

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

19.92mm

Altezza

21mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Standard automobilistico

AEC-Q101

Esente

Paese di origine:
CN
L'IGBT di STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando un'avanzata struttura proprietaria trench gate fieldtop. Il dispositivo fa parte degli IGBT della serie M, che rappresentano un equilibrio ottimale tra le prestazioni e l'efficienza del sistema inverter in cui la bassa perdita e la funzionalità di cortocircuito sono essenziali.

Distribuzione stretta dei parametri

Bassa resistenza termica

Diodo antiparallelo morbido e a recupero molto rapido

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