IGBT Bourns, VCE 650 V, IC 50 A, TO-247

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
253-3509P
Codice costruttore:
BIDW50N65T
Costruttore:
Bourns
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Marchio

Bourns

Corrente massima continuativa collettore

50 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Numero di transistor

1

Dissipazione di potenza massima

416 W

Tipo di package

TO-247

Configurazione

Diodo singolo

Il dispositivo IGBT Bourns combina la tecnologia di un gate MOS e un transistor bipolare per un componente ottimale per applicazioni ad alta tensione e corrente elevata. Questo dispositivo utilizza la tecnologia Trench-Gate Field-Stop che fornisce un maggiore controllo delle caratteristiche dinamiche con una minore tensione di saturazione di collettore ed emettitore (VCE(sat)) e meno perdite di commutazione. Inoltre, questa struttura fornisce una resistenza termica R(th) inferiore.

650 V, 50 A, bassa tensione di saturazione di collettore ed emettitore (VCE(sat))
Tecnologia Trench-Gate Field-Stop
Ottimizzato per la conduzione
Conforme a RoHS

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