IGBT Bourns, VCE 650 V, IC 100 A, TO-247
- Codice RS:
- 253-3509P
- Codice costruttore:
- BIDW50N65T
- Costruttore:
- Bourns
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 10 - 48 | 3,625 € |
| 50 - 98 | 3,415 € |
| 100 - 248 | 2,975 € |
| 250 + | 2,915 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 253-3509P
- Codice costruttore:
- BIDW50N65T
- Costruttore:
- Bourns
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Bourns | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 100A | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 650V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±20 V (Gate-Emitter Voltage VGE ) | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.65V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Bourns | ||
Corrente massima continua collettore Ic 100A | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±20 V (Gate-Emitter Voltage VGE ) | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.65V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Standard automobilistico No | ||
Il dispositivo IGBT Bourns combina la tecnologia di un gate MOS e un transistor bipolare per un componente ottimale per applicazioni ad alta tensione e corrente elevata. Questo dispositivo utilizza la tecnologia Trench-Gate Field-Stop che fornisce un maggiore controllo delle caratteristiche dinamiche con una minore tensione di saturazione di collettore ed emettitore (VCE(sat)) e meno perdite di commutazione. Inoltre, questa struttura fornisce una resistenza termica R(th) inferiore.
650 V, 50 A, bassa tensione di saturazione di collettore ed emettitore (VCE(sat))
Tecnologia Trench-Gate Field-Stop
Ottimizzato per la conduzione
Conforme a RoHS