IGBT Bourns, VCE 600 V, IC 30 A, TO-247N

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
253-3503
Codice costruttore:
BIDNW30N60H3
Costruttore:
Bourns
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Marchio

Bourns

Corrente massima continuativa collettore

30 A

Tensione massima collettore emitter

600 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

230 W

Numero di transistor

1

Tipo di package

TO-247N

Configurazione

Diodo singolo

Il dispositivo IGBT Bourns combina la tecnologia di un gate MOS e un transistor bipolare per un componente ottimale per applicazioni ad alta tensione e corrente elevata. Questo dispositivo utilizza la tecnologia Trench-Gate Field-Stop che fornisce un maggiore controllo delle caratteristiche dinamiche con una minore tensione di saturazione di collettore ed emettitore (VCE(sat)) e meno perdite di commutazione.

600 V, 30 A, bassa tensione di saturazione di collettore ed emettitore (VCE(sat))
Tecnologia Trench-Gate Field-Stop
Bassa perdita di commutazione
Commutazione rapida
Conforme a RoHS

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