IGBT Bourns, VCE 600 V, IC 30 A, TO-247
- Codice RS:
- 253-3506
- Codice costruttore:
- BIDW30N60T
- Costruttore:
- Bourns
1200 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)
Aggiunto
Prezzo per Cadauno (in una stecca da 600)
2,169 €
(IVA esclusa)
2,646 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per stecca* |
| 600 + | 2,169 € | 1.301,40 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 253-3506
- Codice costruttore:
- BIDW30N60T
- Costruttore:
- Bourns
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Il dispositivo IGBT Bourns combina la tecnologia di un gate MOS e un transistor bipolare per un componente ottimale per applicazioni ad alta tensione e corrente elevata. Questo dispositivo utilizza la tecnologia Trench-Gate Field-Stop che fornisce un maggiore controllo delle caratteristiche dinamiche con una minore tensione di saturazione di collettore ed emettitore (VCE(sat)) e meno perdite di commutazione. Inoltre, questa struttura fornisce una resistenza termica R(th) inferiore.
600 V, 30 A, bassa tensione di saturazione di collettore ed emettitore (VCE(sat))
Tecnologia Trench-Gate Field-Stop
Ottimizzato per la conduzione
Conforme a RoHS
Tecnologia Trench-Gate Field-Stop
Ottimizzato per la conduzione
Conforme a RoHS
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Corrente massima continuativa collettore | 30 A |
| Tensione massima collettore emitter | 600 V |
| Tensione massima gate emitter | ±20V |
| Numero di transistor | 1 |
| Dissipazione di potenza massima | 230 W |
| Tipo di package | TO-247 |
| Configurazione | Diodo singolo |