IGBT Bourns, VCE 600 V, IC 30 A, TO-247N

Il dispositivo IGBT Bourns combina la tecnologia di un gate MOS e un transistor bipolare per un componente ottimale per applicazioni ad alta tensione e corrente elevata. Questo dispositivo utilizza la tecnologia Trench-Gate Field-Stop che fornisce un maggiore controllo delle caratteristiche dinamiche con una minore tensione di saturazione di collettore ed emettitore (VCE(sat)) e meno perdite di commutazione.

600 V, 30 A, bassa tensione di saturazione di collettore ed emettitore (VCE(sat))
Tecnologia Trench-Gate Field-Stop
Bassa perdita di commutazione
Commutazione rapida
Conforme a RoHS