IGBT Bourns BIDW20N60T, VCE 600 V, IC 40 A, TO-247

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
253-3505
Codice costruttore:
BIDW20N60T
Costruttore:
Bourns
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Marchio

Bourns

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

40A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

600V

Dissipazione di potenza massima Pd

192W

Tipo di package

TO-247

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.9V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Serie

BIDW20N60T

Standard automobilistico

No

Il dispositivo IGBT Bourns combina la tecnologia di un gate MOS e un transistor bipolare per un componente ottimale per applicazioni ad alta tensione e corrente elevata. Questo dispositivo utilizza la tecnologia Trench-Gate Field-Stop che fornisce un maggiore controllo delle caratteristiche dinamiche con una minore perdita di conduzione e meno perdite di commutazione. Inoltre, questa struttura fornisce un coefficiente di temperatura positivo.

600 V, 20 A, bassa tensione di saturazione di collettore ed emettitore (VCE(sat))

Tecnologia Trench-Gate Field-Stop

Ottimizzato per la conduzione

Bassa perdita di commutazione

Conformità RoHS

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