IGBT Bourns, VCE 600 V, IC 20 A, TO-247

Visualizza IGBT

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

5,86 €

(IVA esclusa)

7,14 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 2196 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
2 +2,93 €5,86 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
253-3505
Codice costruttore:
BIDW20N60T
Costruttore:
Bourns
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Bourns

Corrente massima continuativa collettore

20 A

Tensione massima collettore emitter

600 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Numero di transistor

1

Dissipazione di potenza massima

192 W

Configurazione

Diodo singolo

Tipo di package

TO-247

Il dispositivo IGBT Bourns combina la tecnologia di un gate MOS e un transistor bipolare per un componente ottimale per applicazioni ad alta tensione e corrente elevata. Questo dispositivo utilizza la tecnologia Trench-Gate Field-Stop che fornisce un maggiore controllo delle caratteristiche dinamiche con una minore perdita di conduzione e meno perdite di commutazione. Inoltre, questa struttura fornisce un coefficiente di temperatura positivo.

600 V, 20 A, bassa tensione di saturazione di collettore ed emettitore (VCE(sat))
Tecnologia Trench-Gate Field-Stop
Ottimizzato per la conduzione
Bassa perdita di commutazione
Conformità RoHS

Link consigliati