IGBT Bourns, VCE 650 V, IC 100 A, TO-247

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Codice RS:
253-3508
Codice costruttore:
BIDW50N65T
Costruttore:
Bourns
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Marchio

Bourns

Corrente massima continua collettore Ic

100A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Tipo di package

TO-247

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.65V

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V (Gate-Emitter Voltage VGE )

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Il dispositivo IGBT Bourns combina la tecnologia di un gate MOS e un transistor bipolare per un componente ottimale per applicazioni ad alta tensione e corrente elevata. Questo dispositivo utilizza la tecnologia Trench-Gate Field-Stop che fornisce un maggiore controllo delle caratteristiche dinamiche con una minore tensione di saturazione di collettore ed emettitore (VCE(sat)) e meno perdite di commutazione. Inoltre, questa struttura fornisce una resistenza termica R(th) inferiore.

650 V, 50 A, bassa tensione di saturazione di collettore ed emettitore (VCE(sat))

Tecnologia Trench-Gate Field-Stop

Ottimizzato per la conduzione

Conforme a RoHS

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