IGBT STMicroelectronics, VCE 1,65 V, IC 80 A, TO-247

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Codice RS:
261-5071
Codice costruttore:
STGWA80H65DFBAG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continuativa collettore

80 A

Tensione massima collettore emitter

1,65 V

Tensione massima gate emitter

20V

Dissipazione di potenza massima

535 W

Tipo di package

TO-247

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Paese di origine:
CN
L'IGBT STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando un'avanzata struttura di arresto sul campo del gate a trincea proprietario. Il dispositivo fa parte della nuova serie di IGBT HB, che rappresenta un compromesso ottimale tra perdite di conduzione e di commutazione per massimizzare l'efficienza di qualsiasi convertitore di frequenza. Inoltre, il VCE(sat) leggermente positivo il coefficiente di temperatura e la distribuzione dei parametri molto stretta si traducono in un funzionamento in parallelo più sicuro.

Certificazione AEC-Q101
Serie di commutazione ad alta velocità
La temperatura di giunzione massima TJ è di 175 gradi C
Corrente di fine corsa ridotta al minimo
Distribuzione dei parametri stretta
Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo
Diodo antiparallelo morbido e molto rapido di recupero

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