IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 80 A, TO-247, 3 Pin

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Codice RS:
261-5071
Codice costruttore:
STGWA80H65DFBAG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

80A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

535W

Tipo di package

TO-247

Numero pin

3

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

15V

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

5mm

Lunghezza

15.8mm

Larghezza

21 mm

Standard/Approvazioni

No

Serie

STGWA

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
L'IGBT STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando un'avanzata struttura di arresto sul campo del gate a trincea proprietario. Il dispositivo fa parte della nuova serie HB di IGBT, che rappresenta un compromesso ottimale tra la conduzione e la perdita di commutazione per massimizzare l'efficienza di qualsiasi convertitore di frequenza. Inoltre, il VCE(sat) leggermente positivo il coefficiente di temperatura e la distribuzione dei parametri molto stretta si traducono in un funzionamento in parallelo più sicuro.

Certificazione AEC-Q101

Serie di commutazione ad alta velocità

La temperatura di giunzione massima TJ è di 175 gradi C

Corrente di fine corsa ridotta al minimo

Distribuzione dei parametri stretta

Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo

Diodo antiparallelo morbido e molto rapido di recupero

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