IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, canale N, Cavi lunghi TO-247

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Codice RS:
201-4417
Codice costruttore:
STGWA30HP65FB2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

±30V

Dissipazione di potenza massima

167 W

Numero di transistor

1

Tipo di package

Cavi lunghi TO-247

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Configurazione transistor

Serie

L'arresto di campo Trench-gate di STMicroelectronics, 650 V, 30 A, IGBT serie HB2 ad alta velocità in un contenitore a conduttori lunghi TO-247, ha un coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo.

Corrente di coda ridotta al minimo
Distribuzione dei parametri rigida
Bassa resistenza termica

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