IGBT STMicroelectronics STGWA20HP65FB2, VCE 650 V, IC 40 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin

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Codice RS:
204-3946
Codice costruttore:
STGWA20HP65FB2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continua collettore Ic

40A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Numero transistor

1

Tipo di package

TO-247

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Paese di origine:
CN
L'IGBT da 650 V serie HB2 di STMicroelectronics rappresenta un'evoluzione della struttura avanzata proprietaria del gate a trincea. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di conduzione, grazie a un migliore comportamento VCE(sat) a bassi valori di corrente, e in termini di riduzione dell'energia di commutazione. Il diodo A utilizzato solo per scopi di protezione è confezionato in antiparallelo con l'IGBT. Il risultato è un prodotto progettato appositamente per massimizzare l'efficienza per un'ampia gamma di applicazioni rapide.

Temperatura di giunzione massima di 175 °C

Diodo di protezione co-confezionato

Corrente di coda ridotta al minimo

Distribuzione stretta dei parametri

Bassa resistenza termica

Coefficiente di temperatura positivo

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