IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 40 A, canale N, TO-247

L'IGBT 650 V serie HB2 di STMicroelectronics rappresenta un'evoluzione della struttura Advanced proprietaria Trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di conduzione, grazie a un migliore comportamento VCE(sat) a bassi valori di corrente, nonché in termini di energia di commutazione ridotta. Un diodo utilizzato solo a scopo di protezione è co-confezionato in antiparallelo con l'IGBT. Il risultato è un prodotto progettato appositamente per massimizzare l'efficienza per un'ampia gamma di applicazioni rapide.

Temperatura di giunzione massima di 175 °C.
Diodo di protezione in contenitore
Corrente di coda ridotta al minimo
Distribuzione dei parametri rigida
Bassa resistenza termica
Coefficiente di temperatura positivo