IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 30 A, canale N, TO-247, 3 Pin Foro passante

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Codice RS:
202-5514
Codice costruttore:
STGWA30HP65FB
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

30A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

260W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

1MHz

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

15.9mm

Serie

STG

Larghezza

21.1mm

Altezza

5.1mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

La serie HB STMicroelectronics di IGBT ad alta velocità è sviluppata utilizzando un Advanced trench gate proprietario struttura di fieldstop. Il dispositivo fa parte della nuova serie HB di IGBT, che rappresenta un compromesso ottimale tra perdita di conduzione e commutazione per ottimizzare l'efficienza di qualsiasi convertitore di frequenza.

Bassa resistenza termica

Diodo antiparallelo a recupero morbido molto rapido

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