IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 50 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 204-9878
- Codice costruttore:
- STGWA30H65DFB2
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 204-9878
- Codice costruttore:
- STGWA30H65DFB2
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 50A | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 650V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 167W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di commutazione | 1MHz | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 21.1mm | |
| Altezza | 5.1mm | |
| Lunghezza | 15.9mm | |
| Serie | STG | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Corrente massima continua collettore Ic 50A | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 167W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di commutazione 1MHz | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 21.1mm | ||
Altezza 5.1mm | ||
Lunghezza 15.9mm | ||
Serie STG | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
La serie IGBT 650 V HB2 di STMicroelectronics rappresenta un'evoluzione della struttura Advanced proprietaria Trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di conduzione, grazie a un migliore comportamento VCE(sat) a bassi valori di corrente, nonché in termini di energia di commutazione ridotta.
Temperatura massima di giunzione: TJ = 175 °C.
Bassa VCE (sat) = 1,65 V (tip.) @ IC = 30 A.
Diodo co-confezionato a recupero rapido e morbido
Corrente di coda ridotta al minimo
Distribuzione dei parametri rigida
Bassa resistenza termica
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