IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 50 A, TO-247

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Codice RS:
204-9878
Codice costruttore:
STGWA30H65DFB2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continuativa collettore

50 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Numero di transistor

1

Dissipazione di potenza massima

167 W

Tipo di package

TO-247

Numero pin

3

Paese di origine:
CN
La serie IGBT 650 V HB2 di STMicroelectronics rappresenta un'evoluzione della struttura Advanced proprietaria Trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di conduzione, grazie a un migliore comportamento VCE(sat) a bassi valori di corrente, nonché in termini di energia di commutazione ridotta.

Temperatura massima di giunzione: TJ = 175 °C.
Bassa VCE (sat) = 1,65 V (tip.) @ IC = 30 A.
Diodo co-confezionato a recupero rapido e morbido
Corrente di coda ridotta al minimo
Distribuzione dei parametri rigida
Bassa resistenza termica

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