IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 40 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 202-5518
- Codice costruttore:
- STGWA40IH65DF
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 2,50 € | 75,00 € |
| 150 - 270 | 2,469 € | 74,07 € |
| 300 + | 2,439 € | 73,17 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 202-5518
- Codice costruttore:
- STGWA40IH65DF
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 40A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 650V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 238W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di commutazione | 1MHz | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2V | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 5.1mm | |
| Lunghezza | 15.9mm | |
| Serie | STG | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 40A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 238W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di commutazione 1MHz | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2V | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 5.1mm | ||
Lunghezza 15.9mm | ||
Serie STG | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
L'IGBT serie IH a commutazione graduale STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando una Advanced proprietaria Trench gate struttura di arresto di campo, le cui prestazioni sono ottimizzate sia in perdite di conduzione che di commutazione per commutazione dolce.
Diodo co-assemblato a libera circolazione con bassa caduta di tensione
Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo
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