IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 115 A, TO-247

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Codice RS:
206-7211
Codice costruttore:
STGWA75H65DFB2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continuativa collettore

115 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

357 W

Numero di transistor

1

Tipo di package

TO-247

Numero pin

3

Configurazione transistor

Singolo

Field-stop STMicroelectronics Trench gate, serie HB2 IGBT da 650 V, 75 A ad alta velocità in un contenitore a cavi lunghi TO-247.

Temperatura massima di giunzione: TJ = 175 °C.
Bassa VCE (sat) = 1,55 V (tip.) @ IC = 75 A.
Diodo co-confezionato a recupero rapido e morbido
Corrente di coda ridotta al minimo
Distribuzione dei parametri rigida
Bassa resistenza termica
Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo

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