IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 60 A, TO-247
- Codice RS:
- 206-6065
- Codice costruttore:
- STGWA30IH65DF
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Verifica stock non disponibile - chiama per informazioni
Aggiunto
Prezzo per Cadauno (in una stecca da 30)
3,468 €
(IVA esclusa)
4,231 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per stecca* |
| 30 - 30 | 3,468 € | 104,04 € |
| 60 - 120 | 3,376 € | 101,28 € |
| 150 - 270 | 3,29 € | 98,70 € |
| 300 + | 3,207 € | 96,21 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 206-6065
- Codice costruttore:
- STGWA30IH65DF
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
La serie IGBT 650 V HB2 di STMicroelectronics rappresenta un'evoluzione della struttura Advanced proprietaria Trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di conduzione, grazie a un migliore comportamento VCE(sat) a bassi valori di corrente, nonché in termini di energia di commutazione ridotta.
Progettato solo per la commutazione morbida
Temperatura massima di giunzione: TJ = 175 °C.
VCE(sat) = 1,55 V (tip.) @ IC = 30 A.
Corrente di coda ridotta al minimo
Distribuzione dei parametri rigida
Bassa resistenza termica
Diodo co-assemblato a libera circolazione con bassa caduta di tensione
Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo
Temperatura massima di giunzione: TJ = 175 °C.
VCE(sat) = 1,55 V (tip.) @ IC = 30 A.
Corrente di coda ridotta al minimo
Distribuzione dei parametri rigida
Bassa resistenza termica
Diodo co-assemblato a libera circolazione con bassa caduta di tensione
Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Corrente massima continuativa collettore | 60 A |
| Tensione massima collettore emitter | 650 V |
| Tensione massima gate emitter | ±20V |
| Numero di transistor | 1 |
| Dissipazione di potenza massima | 108 W |
| Tipo di package | TO-247 |
| Numero pin | 4 |
- Codice RS:
- 206-6065
- Codice costruttore:
- STGWA30IH65DF
- Costruttore:
- STMicroelectronics