IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 60 A, TO-247

Visualizza IGBT
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 tubo da 30 unità*

119,70 €

(IVA esclusa)

146,10 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 25 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Tubo*
30 - 303,99 €119,70 €
60 - 1203,886 €116,58 €
150 - 2703,786 €113,58 €
300 +3,691 €110,73 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
206-6065
Codice costruttore:
STGWA30IH65DF
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continuativa collettore

60 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Numero di transistor

1

Dissipazione di potenza massima

108 W

Tipo di package

TO-247

Numero pin

4

La serie IGBT 650 V HB2 di STMicroelectronics rappresenta un'evoluzione della struttura Advanced proprietaria Trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di conduzione, grazie a un migliore comportamento VCE(sat) a bassi valori di corrente, nonché in termini di energia di commutazione ridotta.

Progettato solo per la commutazione morbida
Temperatura massima di giunzione: TJ = 175 °C.
VCE(sat) = 1,55 V (tip.) @ IC = 30 A.
Corrente di coda ridotta al minimo
Distribuzione dei parametri rigida
Bassa resistenza termica
Diodo co-assemblato a libera circolazione con bassa caduta di tensione
Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo

Link consigliati