IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 60 A, canale Tipo N, TO-247, 4 Pin Foro passante

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Unità
Per unità
Per Tubo*
30 - 303,736 €112,08 €
60 - 1203,639 €109,17 €
150 - 2703,546 €106,38 €
300 +3,456 €103,68 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
206-6065
Codice costruttore:
STGWA30IH65DF
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

60A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

108W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

4

Velocità di commutazione

1MHz

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.05V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Serie

STG

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

5.1mm

Lunghezza

15.9mm

Standard automobilistico

No

La serie IGBT 650 V HB2 di STMicroelectronics rappresenta un'evoluzione della struttura Advanced proprietaria Trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di conduzione, grazie a un migliore comportamento VCE(sat) a bassi valori di corrente, nonché in termini di energia di commutazione ridotta.

Progettato solo per la commutazione morbida

Temperatura massima di giunzione: TJ = 175 °C.

VCE(sat) = 1,55 V (tip.) @ IC = 30 A.

Corrente di coda ridotta al minimo

Distribuzione dei parametri rigida

Bassa resistenza termica

Diodo co-assemblato a libera circolazione con bassa caduta di tensione

Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo

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