IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 60 A, TO-247

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
206-8630
Codice costruttore:
STGWA30IH65DF
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continuativa collettore

60 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

108 W

Numero di transistor

1

Tipo di package

TO-247

Numero pin

4

La serie IGBT 650 V HB2 di STMicroelectronics rappresenta un'evoluzione della struttura Advanced proprietaria Trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di conduzione, grazie a un migliore comportamento VCE(sat) a bassi valori di corrente, nonché in termini di energia di commutazione ridotta.

Progettato solo per la commutazione morbida
Temperatura massima di giunzione: TJ = 175 °C.
VCE(sat) = 1,55 V (tip.) @ IC = 30 A.
Corrente di coda ridotta al minimo
Distribuzione dei parametri rigida
Bassa resistenza termica
Diodo co-assemblato a libera circolazione con bassa caduta di tensione
Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo

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