IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, D2PAK
- Codice RS:
- 185-7972
- Codice costruttore:
- AFGB40T65SQDN
- Costruttore:
- onsemi
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Aggiunto
Prezzo per Unità (Su Bobina da 800)
2,506 €
(IVA esclusa)
3,057 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per Bobina* |
| 800 + | 2,506 € | 2.004,80 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 185-7972
- Codice costruttore:
- AFGB40T65SQDN
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
Non conforme
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
L'utilizzo della nuova tecnologia IGBT di quarta generazione per l'arresto del campo. AFGB40T65SQDN offre prestazioni ottimali sia con bassa perdita di conduzione che con perdita di commutazione per un funzionamento ad alta efficienza in varie applicazioni.
VCE(sat) = 1,6 V (tip.) @ IC = 40 A.
Diodo coconfezionato a basso recupero VF morbido
Per l'automobile
Bassa perdita di conduzione
Bassa perdita di rumore e conduzione
Applicazioni
Costo di bordo per automobili
Convertitore DC/DC per HEV
Prodotti finali
EV/PHEV
Diodo coconfezionato a basso recupero VF morbido
Per l'automobile
Bassa perdita di conduzione
Bassa perdita di rumore e conduzione
Applicazioni
Costo di bordo per automobili
Convertitore DC/DC per HEV
Prodotti finali
EV/PHEV
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Corrente massima continuativa collettore | 80 A |
| Tensione massima collettore emitter | 650 V |
| Tensione massima gate emitter | ±20V |
| Numero di transistor | 1 |
| Dissipazione di potenza massima | 240 W |
| Tipo di package | D2PAK |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Tipo di canale | N |
| Numero pin | 3 |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Dimensioni | 10.67 x 9.65 x 4.58mm |
| Standard per uso automobilistico | AEC-Q101 |
| Massima temperatura operativa | +175 °C |
| Capacità del gate | 2495pF |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
| Classe di efficienza energetica | 22.3mJ |