IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, D2PAK
- Codice RS:
- 185-7972
- Codice costruttore:
- AFGB40T65SQDN
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 bobina da 800 unità*
1987,20 €
(IVA esclusa)
2424,00 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 800 + | 2,484 € | 1.987,20 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 185-7972
- Codice costruttore:
- AFGB40T65SQDN
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Corrente massima continuativa collettore | 80 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 650 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Numero di transistor | 1 | |
| Dissipazione di potenza massima | 240 W | |
| Tipo di package | D2PAK | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Dimensioni | 10.67 x 9.65 x 4.58mm | |
| Capacità del gate | 2495pF | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Standard per uso automobilistico | AEC-Q101 | |
| Massima temperatura operativa | +175 °C | |
| Classe di efficienza energetica | 22.3mJ | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Corrente massima continuativa collettore 80 A | ||
Tensione massima collettore emitter 650 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Numero di transistor 1 | ||
Dissipazione di potenza massima 240 W | ||
Tipo di package D2PAK | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Dimensioni 10.67 x 9.65 x 4.58mm | ||
Capacità del gate 2495pF | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Standard per uso automobilistico AEC-Q101 | ||
Massima temperatura operativa +175 °C | ||
Classe di efficienza energetica 22.3mJ | ||
Non conforme
- Paese di origine:
- CN
L'utilizzo della nuova tecnologia IGBT di quarta generazione per l'arresto del campo. AFGB40T65SQDN offre prestazioni ottimali sia con bassa perdita di conduzione che con perdita di commutazione per un funzionamento ad alta efficienza in varie applicazioni.
VCE(sat) = 1,6 V (tip.) @ IC = 40 A.
Diodo coconfezionato a basso recupero VF morbido
Per l'automobile
Bassa perdita di conduzione
Bassa perdita di rumore e conduzione
Applicazioni
Costo di bordo per automobili
Convertitore DC/DC per HEV
Prodotti finali
EV/PHEV
Diodo coconfezionato a basso recupero VF morbido
Per l'automobile
Bassa perdita di conduzione
Bassa perdita di rumore e conduzione
Applicazioni
Costo di bordo per automobili
Convertitore DC/DC per HEV
Prodotti finali
EV/PHEV