IGBT onsemi FGAF40S65AQ, VCE 650 V, IC 80 A, canale Tipo N, TO-3PF, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 185-8956
- Codice costruttore:
- FGAF40S65AQ
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 185-8956
- Codice costruttore:
- FGAF40S65AQ
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 80A | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 650V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 94W | |
| Tipo di package | TO-3PF | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.6V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | Pb-Free and is RoHS | |
| Serie | Trench | |
| Lunghezza | 19.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Classificazione energetica | 325mJ | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Corrente massima continua collettore Ic 80A | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 94W | ||
Tipo di package TO-3PF | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.6V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni Pb-Free and is RoHS | ||
Serie Trench | ||
Lunghezza 19.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Classificazione energetica 325mJ | ||
Non conforme
- Paese di origine:
- KR
Utilizzando la nuova tecnologia IGBT field stop, on Semiconductor la nuova
Temperatura massima di giunzione: TJ = 175°C.
Temperatura positiva coefficiente per un facile funzionamento in parallelo
Capacità di corrente elevata
Tensione di saturazione bassa: VCE(sat) = 1,6V(Typ.) @ IC = 40A.
Elevata impedenza di ingresso
100% delle parti testate per ILM
Commutazione rapida
Serraggio della distribuzione dei parametri
IGBT con diodo monolitico a conduzione inversa
Applicazioni
Apparecchiature di consumo
PFC, Saldatore
Applicazione industriale
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