IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-3PF
- Codice RS:
- 185-8956
- Codice costruttore:
- FGAF40S65AQ
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 confezione da 3 unità*
2,871 €
(IVA esclusa)
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|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 185-8956
- Codice costruttore:
- FGAF40S65AQ
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Corrente massima continuativa collettore | 80 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 650 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 94 W | |
| Numero di transistor | 1 | |
| Tipo di package | TO-3PF | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Dimensioni | 15.7 x 5.7 x 24.7mm | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Capacità del gate | 2590pF | |
| Classe di efficienza energetica | 325mJ | |
| Massima temperatura operativa | +175 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Corrente massima continuativa collettore 80 A | ||
Tensione massima collettore emitter 650 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Dissipazione di potenza massima 94 W | ||
Numero di transistor 1 | ||
Tipo di package TO-3PF | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Dimensioni 15.7 x 5.7 x 24.7mm | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Capacità del gate 2590pF | ||
Classe di efficienza energetica 325mJ | ||
Massima temperatura operativa +175 °C | ||
Non conforme
- Paese di origine:
- KR
Utilizzando la nuova tecnologia IGBT field stop, on Semiconductor la nuova
Temperatura massima di giunzione: TJ = 175°C.
Temperatura positiva coefficiente per un facile funzionamento in parallelo
Capacità di corrente elevata
Tensione di saturazione bassa: VCE(sat) = 1,6V(Typ.) @ IC = 40A.
Elevata impedenza di ingresso
100% delle parti testate per ILM
Commutazione rapida
Serraggio della distribuzione dei parametri
IGBT con diodo monolitico a conduzione inversa
Applicazioni
Apparecchiature di consumo
PFC, Saldatore
Applicazione industriale
Temperatura positiva coefficiente per un facile funzionamento in parallelo
Capacità di corrente elevata
Tensione di saturazione bassa: VCE(sat) = 1,6V(Typ.) @ IC = 40A.
Elevata impedenza di ingresso
100% delle parti testate per ILM
Commutazione rapida
Serraggio della distribuzione dei parametri
IGBT con diodo monolitico a conduzione inversa
Applicazioni
Apparecchiature di consumo
PFC, Saldatore
Applicazione industriale