IGBT onsemi, VCE 600 V, IC 80 A, canale Tipo N, TO-3PF, 3 Pin Foro passante

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Codice RS:
124-1396
Codice costruttore:
FGAF40N60SMD
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

80A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

600V

Dissipazione di potenza massima Pd

115W

Tipo di package

TO-3PF

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

1MHz

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.9V

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Serie

Field Stop

Standard automobilistico

No

IGBT discreti, Fairchild Semiconductor


Discreti e moduli IGBT, Fairchild Semiconductor


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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