IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 80 A, canale Tipo N, TO-3PF, 3 Pin Foro passante

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360 +1,821 €655,56 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
185-7999
Codice costruttore:
FGAF40S65AQ
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

80A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

94W

Tipo di package

TO-3PF

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.6V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

Pb-Free and is RoHS

Serie

Trench

Lunghezza

19.1mm

Classificazione energetica

325mJ

Standard automobilistico

No

Non conforme

Paese di origine:
KR
Utilizzando la nuova tecnologia IGBT field stop, on Semiconductor la nuova

Temperatura massima di giunzione: TJ = 175°C.

Temperatura positiva coefficiente per un facile funzionamento in parallelo

Capacità di corrente elevata

Tensione di saturazione bassa: VCE(sat) = 1,6V(Typ.) @ IC = 40A.

Elevata impedenza di ingresso

100% delle parti testate per ILM

Commutazione rapida

Serraggio della distribuzione dei parametri

IGBT con diodo monolitico a conduzione inversa

Applicazioni

Apparecchiature di consumo

PFC, Saldatore

Applicazione industriale

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