IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, D2PAK

Visualizza IGBT

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

7,78 €

(IVA esclusa)

9,50 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Scorte limitate
  • 3146 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
2 +3,89 €7,78 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
185-8642
Codice costruttore:
AFGB40T65SQDN
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Corrente massima continuativa collettore

80 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

240 W

Numero di transistor

1

Tipo di package

D2PAK

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Configurazione transistor

Singolo

Dimensioni

10.67 x 9.65 x 4.58mm

Capacità del gate

2495pF

Massima temperatura operativa

+175 °C

Classe di efficienza energetica

22.3mJ

Standard per uso automobilistico

AEC-Q101

Minima temperatura operativa

-55 °C

Non conforme

Paese di origine:
CN
L'utilizzo della nuova tecnologia IGBT di quarta generazione per l'arresto del campo. AFGB40T65SQDN offre prestazioni ottimali sia con bassa perdita di conduzione che con perdita di commutazione per un funzionamento ad alta efficienza in varie applicazioni.

VCE(sat) = 1,6 V (tip.) @ IC = 40 A.
Diodo coconfezionato a basso recupero VF morbido
Per l'automobile
Bassa perdita di conduzione
Bassa perdita di rumore e conduzione
Applicazioni
Costo di bordo per automobili
Convertitore DC/DC per HEV
Prodotti finali
EV/PHEV

Link consigliati