IGBT onsemi AFGB40T65SQDN, VCE 650 V, IC 80 A, canale Tipo N, TO-263, 3 Pin Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
185-8642
Codice costruttore:
AFGB40T65SQDN
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

80A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

238W

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.6V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, Pb-Free

Lunghezza

9.65mm

Altezza

4.06mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Classificazione energetica

22.3mJ

Non conforme

Paese di origine:
CN
L'utilizzo della nuova tecnologia IGBT di quarta generazione per l'arresto del campo. AFGB40T65SQDN offre prestazioni ottimali sia con bassa perdita di conduzione che con perdita di commutazione per un funzionamento ad alta efficienza in varie applicazioni.

VCE(sat) = 1,6 V (tip.) @ IC = 40 A.

Diodo coconfezionato a basso recupero VF morbido

Per l'automobile

Bassa perdita di conduzione

Bassa perdita di rumore e conduzione

Applicazioni

Costo di bordo per automobili

Convertitore DC/DC per HEV

Prodotti finali

EV/PHEV

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