IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, canale Tipo N, PG-TO-263, 3 Pin Superficie

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Codice RS:
226-6062
Codice costruttore:
IGB50N65S5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

80A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

270W

Tipo di package

PG-TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

30 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.7V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Serie

TrenchStop

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Infineon IGB50N65S è un IGBT da 50 A con diodo anti-parallelo senza la necessità di un componente di bloccaggio del gate. In questa caratteristica di caduta di corrente dolce senza corrente di coda ed è eccellente per il collegamento in parallelo.

VCEsat molto bassa di 1,35 V a 25°C.

Temperatura massima di giunzione Tvj 175°C.

quattro volte la corrente nominale

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