IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, PG-TO263

Visualizza IGBT

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

1565,00 €

(IVA esclusa)

1909,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • 1000 unità in spedizione dal 15 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
1000 +1,565 €1.565,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
226-6062
Codice costruttore:
IGB50N65S5ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

80 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

30V

Numero di transistor

1

Dissipazione di potenza massima

270 W

Configurazione

Single

Tipo di package

PG-TO263

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Configurazione transistor

Singolo

Infineon IGB50N65S è un IGBT da 50 A con diodo anti-parallelo senza la necessità di un componente di bloccaggio del gate. In questa caratteristica di caduta di corrente dolce senza corrente di coda ed è eccellente per il collegamento in parallelo.

VCEsat molto bassa di 1,35 V a 25°C.
Temperatura massima di giunzione Tvj 175°C.
quattro volte la corrente nominale

Link consigliati