IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, PG-TO263

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
226-6063
Codice costruttore:
IGB50N65S5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

80 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

30V

Dissipazione di potenza massima

270 W

Numero di transistor

1

Tipo di package

PG-TO263

Configurazione

Single

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Configurazione transistor

Singolo

Infineon IGB50N65S è un IGBT da 50 A con diodo anti-parallelo senza la necessità di un componente di bloccaggio del gate. In questa caratteristica di caduta di corrente dolce senza corrente di coda ed è eccellente per il collegamento in parallelo.

VCEsat molto bassa di 1,35 V a 25°C.
Temperatura massima di giunzione Tvj 175°C.
quattro volte la corrente nominale

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