Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 75 A, PG-TO247-3

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Codice RS:
249-6947
Codice costruttore:
IKW75N65SS5XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

75 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

15V

Dissipazione di potenza massima

395 W

Numero di transistor

2

Configurazione

Single

Tipo di package

PG-TO247-3

L'IGBT Infineon TRENCHSTOP 5S5 è dotato di un diodo a barriera Schottky SiCTMS di 6 generazione. Perdite di commutazione estremamente ridotte grazie alla combinazione delle tecnologie TRENCHSTOPTM5 e CoolSiCTM. Efficienza di riferimento nelle topologie di commutazione rigide. Sostituzione plug-and-play dei dispositivi in silicio puro. La temperatura massima di giunzione è di 175 °C

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