IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, D2PAK

Name: IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, D2PAK
Brand: onsemi
SKU: 185-8642P
Price: 2.54 EUR
Availability: InStock

Prezzo per Pezzo (Fornito in bobina)**. Quantità inferiori a 150 pz. sono fornite in una striscia senza intestazioni.

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Unità	Per unità
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**prezzo indicativo

Attributo	Valore
Corrente massima continuativa collettore	80 A
Tensione massima collettore emitter	650 V
Tensione massima gate emitter	±20V
Numero di transistor	1
Dissipazione di potenza massima	240 W
Tipo di package	D2PAK
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Tipo di canale	N
Numero pin	3
Configurazione transistor	Singolo
Dimensioni	10.67 x 9.65 x 4.58mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Classe di efficienza energetica	22.3mJ
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101
Minima temperatura operativa	-55 °C
Capacità del gate	2495pF