IGBT onsemi AFGB40T65SQDN, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-263, 3 Pin Superficie
- Codice RS:
- 185-8642P
- Codice costruttore:
- AFGB40T65SQDN
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 2 unità (fornito in una striscia continua)*
7,78 €
(IVA esclusa)
9,50 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 2 + | 3,89 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 185-8642P
- Codice costruttore:
- AFGB40T65SQDN
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 80A | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 650V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 238W | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±20 V | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.6V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 10.67mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, Pb-Free | |
| Altezza | 4.06mm | |
| Lunghezza | 9.65mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Classificazione energetica | 22.3mJ | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Corrente massima continua collettore Ic 80A | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 238W | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±20 V | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.6V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 10.67mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS, Pb-Free | ||
Altezza 4.06mm | ||
Lunghezza 9.65mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Classificazione energetica 22.3mJ | ||
Non conforme
- Paese di origine:
- CN
L'utilizzo della nuova tecnologia IGBT di quarta generazione per l'arresto del campo. AFGB40T65SQDN offre prestazioni ottimali sia con bassa perdita di conduzione che con perdita di commutazione per un funzionamento ad alta efficienza in varie applicazioni.
VCE(sat) = 1,6 V (tip.) @ IC = 40 A.
Diodo coconfezionato a basso recupero VF morbido
Per l'automobile
Bassa perdita di conduzione
Bassa perdita di rumore e conduzione
Applicazioni
Costo di bordo per automobili
Convertitore DC/DC per HEV
Prodotti finali
EV/PHEV