IGBT onsemi HGT1S10N120BNST, VCE 1200 V, IC 35 A, canale Tipo N, TO-263, 3 Pin Superficie

Visualizza IGBT
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

10,42 €

(IVA esclusa)

12,72 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 8 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
  • Più 472 unità in spedizione dal 08 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 185,21 €10,42 €
20 - 1984,49 €8,98 €
200 +3,89 €7,78 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
807-6660
Codice costruttore:
HGT1S10N120BNST
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Corrente massima continua collettore Ic

35A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

298W

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

1MHz

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.45V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Serie

NPT

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

IGBT discreti, 1000 V e oltre, Fairchild Semiconductor


Discreti e moduli IGBT, Fairchild Semiconductor


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.