IGBT onsemi HGT1S10N120BNST, VCE 1.2 kV, IC 35 A, canale N, TO-263, 3 Pin Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
807-6660
Codice costruttore:
HGT1S10N120BNST
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

35A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1.2kV

Dissipazione di potenza massima Pd

298W

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

1MHz

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.45V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Serie

NPT

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

IGBT discreti, 1000 V e oltre, Fairchild Semiconductor


Discreti e moduli IGBT, Fairchild Semiconductor


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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