IGBT onsemi HGT1S10N120BNST, VCE 1200 V, IC 35 A, canale Tipo N, TO-263, 3 Pin Superficie
- Codice RS:
- 807-6660
- Codice costruttore:
- HGT1S10N120BNST
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 807-6660
- Codice costruttore:
- HGT1S10N120BNST
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 35A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 1200V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 298W | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di commutazione | 1MHz | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.45V | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Serie | NPT | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 35A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1200V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 298W | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di commutazione 1MHz | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.45V | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Serie NPT | ||
Standard automobilistico No | ||
IGBT discreti, 1000 V e oltre, Fairchild Semiconductor
Discreti e moduli IGBT, Fairchild Semiconductor
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.