IGBT onsemi, VCE 430 V, IC 21 A, canale N, D2PAK (TO-263)
- Codice RS:
- 864-8802
- Codice costruttore:
- FGB3040CS
- Costruttore:
- Fairchild Semiconductor
Prodotto discontinuato
- Codice RS:
- 864-8802
- Codice costruttore:
- FGB3040CS
- Costruttore:
- Fairchild Semiconductor
IGBT di accensione per uso automobilistico, Fairchild Semiconductor
Questi dispositivi IGBT EcoSPARK sono ottimizzati per l'azionamento di bobine di accensione per uso automobilistico. Sono stati testati in presenza di sollecitazioni e soddisfano lo standard AEC-Q101.
Caratteristiche
• Stadio pilota livello logico
• Protezione ESD
• Applicazioni: circuiti driver di bobine di accensione per uso automobilistico, applicazioni Coil-on-Plug
• Protezione ESD
• Applicazioni: circuiti driver di bobine di accensione per uso automobilistico, applicazioni Coil-on-Plug
Codici dei prodotti RS
864-8802 FGB3040CS 400 V 20 A D2PAK
864-8805 FGB3040G2_F085 400 V 25 A DPAK-2
807-0767 FGD3040G2_F085 400 V 25 A DPAK
864-8880 FGI3040G2_F085 400 V 25 A I2PAK
864-8899 FGP3040G2_F085 400 V 25 A TO220
864-8809 FGB3245G2_F085 450 V 23 A D2PAK-2
864-8827 FGD3245G2_F085 450 V 23 A DPAK
807-0776 FGD3440G2_F085 400 V 25 A DPAK
864-8818 FGB3440G2_F085 400 V 25 A D2PAK-2
864-8893 FGP3440G2_F085 400 V 25 A TO220
807-8751 ISL9V5036P3_F085 360V 31 A TO220
862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450 V 43 A D2PAK
Nota
I valori di corrente nominale indicati si applicano con temperatura della giunzione Tc = +110 °C.
Standard
AEC-Q101
Discreti e moduli IGBT, Fairchild Semiconductor
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.
Attributo | Valore |
|---|---|
| Corrente massima continuativa collettore | 21 A |
| Tensione massima collettore emitter | 430 V |
| Tensione massima gate emitter | ±10V |
| Dissipazione di potenza massima | 150 W |
| Tipo di package | D2PAK (TO-263) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Tipo di canale | N |
| Numero pin | 6 |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Dimensioni | 10.1 x 9.4 x 4.7mm |
| Minima temperatura operativa | -40 °C |
| Massima temperatura operativa | +175 °C |