IGBT onsemi, VCE 300 V, IC 41 A, canale N, DPAK (TO-252)

Codice RS:: 807-0767
Codice costruttore:: FGD3040G2-F085
Costruttore:: onsemi

IGBT onsemi, VCE 300 V, IC 41 A, canale N, DPAK (TO-252)

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Codice RS:: 807-0767
Codice costruttore:: FGD3040G2-F085
Costruttore:: onsemi

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

IGBT di accensione per uso automobilistico, Fairchild Semiconductor

Questi dispositivi IGBT EcoSPARK sono ottimizzati per l'azionamento di bobine di accensione per uso automobilistico. Sono stati testati in presenza di sollecitazioni e soddisfano lo standard AEC-Q101.

Caratteristiche

• Stadio pilota livello logico
• Protezione ESD
• Applicazioni: circuiti driver di bobine di accensione per uso automobilistico, applicazioni Coil-on-Plug

Codici dei prodotti RS

864-8802 FGB3040CS 400 V 20 A D2PAK

864-8805 FGB3040G2_F085 400 V 25 A DPAK-2

807-0767 FGD3040G2_F085 400 V 25 A DPAK

864-8880 FGI3040G2_F085 400 V 25 A I2PAK

864-8899 FGP3040G2_F085 400 V 25 A TO220

864-8809 FGB3245G2_F085 450 V 23 A D2PAK-2

864-8827 FGD3245G2_F085 450 V 23 A DPAK

807-0776 FGD3440G2_F085 400 V 25 A DPAK

864-8818 FGB3440G2_F085 400 V 25 A D2PAK-2

864-8893 FGP3440G2_F085 400 V 25 A TO220

807-8751 ISL9V5036P3_F085 360V 31 A TO220

862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450 V 43 A D2PAK

Nota

I valori di corrente nominale indicati si applicano con temperatura della giunzione Tc = +110 °C.

Standard

AEC-Q101

Discreti e moduli IGBT, Fairchild Semiconductor

Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Specifiche

Attributo	Valore
Corrente massima continuativa collettore	41 A
Tensione massima collettore emitter	300 V
Tensione massima gate emitter	±10V
Dissipazione di potenza massima	150 W
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Tipo di canale	N
Numero pin	3
Velocità di switching	1MHz
Configurazione transistor	Singolo
Dimensioni	6.73 x 6.22 x 2.39mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C