IGBT di accensione onsemi, VCE 400 V, IC 41 A, canale Tipo N, TO-252, 3 Pin Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

1405,00 €

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1715,00 €

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Codice RS:
178-7564
Codice costruttore:
FGD3040G2-F085
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Corrente massima continua collettore Ic

41A

Tipo prodotto

IGBT di accensione

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

400V

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

1MHz

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

±10 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Serie

EcoSPARK2

Standard/Approvazioni

RoHS

Classificazione energetica

300mJ

Standard automobilistico

AEC-Q101

IGBT di accensione per uso automobilistico, Fairchild Semiconductor


Questi dispositivi IGBT EcoSPARK sono ottimizzati per l'azionamento di bobine di accensione per uso automobilistico. Sono stati testati in presenza di sollecitazioni e soddisfano lo standard AEC-Q101.

Caratteristiche


• Stadio pilota livello logico

• Protezione ESD

• Applicazioni: circuiti driver di bobine di accensione per uso automobilistico, applicazioni Coil-on-Plug

Codici dei prodotti RS


864-8802 FGB3040CS 400 V 20 A D2PAK;

864-8805 FGB3040G2_F085 400 V 25 A DPAK-2;

807-0767 FGD3040G2_F085 400 V 25 A DPAK;

864-8880 FGI3040G2_F085 400 V 25 A I2PAK;

864-8899 FGP3040G2_F085 400 V 25 A TO220;

864-8809 FGB3245G2_F085 450 V 23 A D2PAK-2;

864-8827 FGD3245G2_F085 450 V 23 A DPAK;

807-0776 FGD3440G2_F085 400 V 25 A DPAK;

864-8818 FGB3440G2_F085 400 V 25 A D2PAK-2;

864-8893 FGP3440G2_F085 400 V 25 A TO220;

807-8751 ISL9V5036P3_F085 360V 31 A TO220;

862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450 V 43 A D2PAK

Discreti e moduli IGBT, Fairchild Semiconductor


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Note

I valori di corrente nominale indicati si applicano con temperatura della giunzione Tc = +110 °C.

Standards

AEC-Q101

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