IGBT onsemi, VCE 300 V, IC 41 A, canale N, DPAK (TO-252)
- Codice RS:
- 807-0767
- Codice costruttore:
- FGD3040G2-F085
- Costruttore:
- onsemi
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 807-0767
- Codice costruttore:
- FGD3040G2-F085
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Corrente massima continuativa collettore | 41 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 300 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±10V | |
| Dissipazione di potenza massima | 150 W | |
| Tipo di package | DPAK (TO-252) | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di switching | 1MHz | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Dimensioni | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Massima temperatura operativa | +175 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Corrente massima continuativa collettore 41 A | ||
Tensione massima collettore emitter 300 V | ||
Tensione massima gate emitter ±10V | ||
Dissipazione di potenza massima 150 W | ||
Tipo di package DPAK (TO-252) | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di switching 1MHz | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Dimensioni 6.73 x 6.22 x 2.39mm | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Massima temperatura operativa +175 °C | ||
IGBT di accensione per uso automobilistico, Fairchild Semiconductor
Questi dispositivi IGBT EcoSPARK sono ottimizzati per l'azionamento di bobine di accensione per uso automobilistico. Sono stati testati in presenza di sollecitazioni e soddisfano lo standard AEC-Q101.
Caratteristiche
• Stadio pilota livello logico
• Protezione ESD
• Applicazioni: circuiti driver di bobine di accensione per uso automobilistico, applicazioni Coil-on-Plug
Codici dei prodotti RS
864-8802 FGB3040CS 400 V 20 A D2PAK;
864-8805 FGB3040G2_F085 400 V 25 A DPAK-2;
807-0767 FGD3040G2_F085 400 V 25 A DPAK;
864-8880 FGI3040G2_F085 400 V 25 A I2PAK;
864-8899 FGP3040G2_F085 400 V 25 A TO220;
864-8809 FGB3245G2_F085 450 V 23 A D2PAK-2;
864-8827 FGD3245G2_F085 450 V 23 A DPAK;
807-0776 FGD3440G2_F085 400 V 25 A DPAK;
864-8818 FGB3440G2_F085 400 V 25 A D2PAK-2;
864-8893 FGP3440G2_F085 400 V 25 A TO220;
807-8751 ISL9V5036P3_F085 360V 31 A TO220;
862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450 V 43 A D2PAK
Discreti e moduli IGBT, Fairchild Semiconductor
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.
Note
I valori di corrente nominale indicati si applicano con temperatura della giunzione Tc = +110 °C.
Standards
AEC-Q101