IGBT di accensione onsemi, VCE 430 V, IC 21 A, canale Tipo N, TO-252, 3 Pin Superficie

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Codice RS:
166-2138
Codice costruttore:
ISL9V3040D3ST
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Corrente massima continua collettore Ic

21A

Tipo prodotto

IGBT di accensione

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

430V

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

1MHz

Tensione emettitore gate massima VGEO

±10 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Serie

EcoSPARK

Standard automobilistico

AEC-Q101

Classificazione energetica

300mJ

IGBT discreti, Fairchild Semiconductor


Discreti e moduli IGBT, Fairchild Semiconductor


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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