IGBT onsemi, VCE 430 V, IC 10 A, canale N, TO-252, 3 Pin Superficie

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Codice RS:
166-3807
Codice costruttore:
ISL9V2040D3ST
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

10A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

430V

Dissipazione di potenza massima Pd

130W

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

±10 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.9V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Serie

EcoSPARK

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Classificazione energetica

200mJ

IGBT discreti, Fairchild Semiconductor


Discreti e moduli IGBT, Fairchild Semiconductor


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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