IGBT onsemi, VCE 450 V, IC 10 A, canale N, DPAK (TO-252)

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Codice RS:
166-3807
Codice costruttore:
ISL9V2040D3ST
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Corrente massima continuativa collettore

10 A

Tensione massima collettore emitter

450 V

Tensione massima gate emitter

±14V

Dissipazione di potenza massima

130 W

Tipo di package

DPAK (TO-252)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Configurazione transistor

Singolo

Dimensioni

6.73 x 6.22 x 2.39mm

Massima temperatura operativa

+175 °C

Minima temperatura operativa

-40 °C

IGBT discreti, Fairchild Semiconductor



Discreti e moduli IGBT, Fairchild Semiconductor


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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