IGBT Fairchild Semiconductor, VCE 430 V, IC 21 A, canale Tipo N, TO-263, 3 Pin Superficie

Visualizza IGBT

Prezzo per 1 bobina da 800 unità*

1124,80 €

(IVA esclusa)

1372,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Per ordini inferiori a 60,00 € (IVA esclusa) il costo della spedizione è 9,50 €.
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 05 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
800 +1,406 €1.124,80 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
166-2084
Codice costruttore:
ISL9V3040S3ST
Costruttore:
Fairchild Semiconductor
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Fairchild Semiconductor

Corrente massima continua collettore Ic

21A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

430V

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.6V

Tensione emettitore gate massima VGEO

±10 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Serie

EcoSPARK

Standard/Approvazioni

RoHS

Classificazione energetica

300mJ

Standard automobilistico

AEC-Q101

IGBT discreti, Fairchild Semiconductor


Discreti e moduli IGBT, Fairchild Semiconductor


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Link consigliati