IGBT Fairchild Semiconductor ISL9V3040P3, VCE 430 V, IC 21 A, canale Tipo N, JEDEC TO-220AB, 3 Pin Foro passante

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IGBT onsemi, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-220
Codice RS
769-5810

1pz in confezione da 2

1,365 €

(IVA esclusa)

1,665 €

(IVA inclusa)

Codice RS:
862-9359
Codice costruttore:
ISL9V3040P3
Costruttore:
Fairchild Semiconductor
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Marchio

Fairchild Semiconductor

Corrente massima continua collettore Ic

21A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

430V

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Tipo di package

JEDEC TO-220AB

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

15μs

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.6V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

±10 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Serie

EcoSPARK

Standard automobilistico

AEC-Q101

Classificazione energetica

300mJ

IGBT discreti, Fairchild Semiconductor


Discreti e moduli IGBT, Fairchild Semiconductor


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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