IGBT Fairchild Semiconductor, VCE 450 V, IC 21 A, canale N, TO-220AB

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
862-9359
Codice costruttore:
ISL9V3040P3
Costruttore:
Fairchild Semiconductor
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Marchio

Fairchild Semiconductor

Corrente massima continuativa collettore

21 A

Tensione massima collettore emitter

450 V

Tensione massima gate emitter

±14V

Dissipazione di potenza massima

150 W

Tipo di package

TO-220AB

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Configurazione transistor

Singolo

Dimensioni

10.67 x 4.7 x 16.3mm

Massima temperatura operativa

+175 °C

Minima temperatura operativa

-40 °C

IGBT discreti, Fairchild Semiconductor



Discreti e moduli IGBT, Fairchild Semiconductor


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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