IGBT onsemi, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-220
- Codice RS:
- 769-5810
- Codice costruttore:
- NGTG15N60S1EG
- Costruttore:
- ON Semiconductor
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- Codice RS:
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- Codice costruttore:
- NGTG15N60S1EG
- Costruttore:
- ON Semiconductor
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ON Semiconductor | |
| Corrente massima continuativa collettore | 30 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 600 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 117 W | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 4 | |
| Dimensioni | 10.28 x 4.82 x 15.75mm | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ON Semiconductor | ||
Corrente massima continuativa collettore 30 A | ||
Tensione massima collettore emitter 600 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Dissipazione di potenza massima 117 W | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 4 | ||
Dimensioni 10.28 x 4.82 x 15.75mm | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
IGBT discreto, ON Semiconductor
Transistor bipolari a gate isolato (IGBT) per azionamenti e altre applicazioni di commutazione con correnti elevate.
IGBT discreto, ON Semiconductor
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.