Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 90 A, PG-TO220-3

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Codice RS:
259-1524
Codice costruttore:
IGP50N60TXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

90 A

Tensione massima collettore emitter

600 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

333 W

Numero di transistor

3

Tipo di package

PG-TO220-3

L'IGBT a bassa perdita Infineon ha una facile capacità di commutazione in parallelo grazie al coefficiente di temperatura positivo in Vcesat. Presenta un'elevata robustezza e un comportamento stabile in termini di temperatura. Si tratta di un diodo controllato da emettitore antiparallelo molto morbido e rapido.

Temperatura di giunzione massima 175 °C
Tempo di resistenza ai cortocircuiti 5 microsecondi
Bassa EMI
Bassa carica del gate
Distribuzione dei parametri molto stretta

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