Modulo IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 50 A, TO-220

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Codice RS:
259-1524
Codice costruttore:
IGP50N60TXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

50A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

600V

Dissipazione di potenza massima Pd

333W

Tipo di package

TO-220

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.5V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.57mm

Larghezza

10.36 mm

Lunghezza

29.95mm

Serie

TRENCHSTOPTM

Standard/Approvazioni

JEDEC1

Standard automobilistico

No

L'IGBT a bassa perdita Infineon ha una facile capacità di commutazione in parallelo grazie al coefficiente di temperatura positivo in Vcesat. Presenta un'elevata robustezza e un comportamento stabile in termini di temperatura. Si tratta di un diodo controllato da emettitore antiparallelo molto morbido e rapido.

Temperatura di giunzione massima 175 °C

Tempo di resistenza ai cortocircuiti 5 microsecondi

Bassa EMI

Bassa carica del gate

Distribuzione dei parametri molto stretta

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