IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 26 A, TO-220-3
- Codice RS:
- 242-0976
- Codice costruttore:
- IGP15N60TXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 2 unità*
3,67 €
(IVA esclusa)
4,478 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 394 unità in spedizione dal 29 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 1,835 € | 3,67 € |
| 10 - 18 | 1,745 € | 3,49 € |
| 20 - 48 | 1,58 € | 3,16 € |
| 50 - 98 | 1,42 € | 2,84 € |
| 100 + | 1,33 € | 2,66 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 242-0976
- Codice costruttore:
- IGP15N60TXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 26 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 600 V | |
| Tensione massima gate emitter | 20V | |
| Numero di transistor | 1 | |
| Dissipazione di potenza massima | 130 W | |
| Tipo di package | TO-220-3 | |
| Configurazione | Single | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 26 A | ||
Tensione massima collettore emitter 600 V | ||
Tensione massima gate emitter 20V | ||
Numero di transistor 1 | ||
Dissipazione di potenza massima 130 W | ||
Tipo di package TO-220-3 | ||
Configurazione Single | ||
Il transistor IGBT Infineon da 600 V, 15 A ha una corrente massima del collettore continua di 26 A. La temperatura massima di giunzione è di 175 °C. Offre la massima efficienza, basse perdite di conduzione e commutazione, portafoglio completo in 600 V e 1200 V per una maggiore flessibilità di progettazione e un'elevata affidabilità del dispositivo.
Diodo controllato da emettitore antiparallelo a recupero rapido molto morbido.
Elevata robustezza, comportamento stabile in temperatura
Basse emissioni EMI
Bassa carica gate
Distribuzione dei parametri molto stretta
Elevata robustezza, comportamento stabile in temperatura
Basse emissioni EMI
Bassa carica gate
Distribuzione dei parametri molto stretta