IGBT a bassa perdita Infineon IGP15N60TXKSA1, VCE 600 V, IC 15 A, TO-220
- Codice RS:
- 242-0976
- Codice costruttore:
- IGP15N60TXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 242-0976
- Codice costruttore:
- IGP15N60TXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 15A | |
| Tipo prodotto | IGBT a bassa perdita | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 600V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 130W | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.5V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC1 | |
| Lunghezza | 29.95mm | |
| Altezza | 4.57mm | |
| Serie | TRENCHSTOPTM | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continua collettore Ic 15A | ||
Tipo prodotto IGBT a bassa perdita | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 600V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 130W | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.5V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni JEDEC1 | ||
Lunghezza 29.95mm | ||
Altezza 4.57mm | ||
Serie TRENCHSTOPTM | ||
Standard automobilistico No | ||
Il transistor IGBT Infineon da 600 V, 15 A ha una corrente massima del collettore continua di 26 A. La temperatura massima di giunzione è di 175 °C. Offre la massima efficienza, basse perdite di conduzione e commutazione, portafoglio completo in 600 V e 1200 V per una maggiore flessibilità di progettazione e un'elevata affidabilità del dispositivo.
Diodo controllato da emettitore antiparallelo a recupero rapido molto morbido.
Elevata robustezza, comportamento stabile in temperatura
Basse emissioni EMI
Bassa carica gate
Distribuzione dei parametri molto stretta
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