IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 20 A, TO-220

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Codice RS:
242-0977
Codice costruttore:
IGP20N65H5XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continua collettore Ic

20A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Tipo di package

TO-220

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 ±30 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.65V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

JEDEC

Serie

High Speed Fifth Generation

Larghezza

10.36 mm

Altezza

4.57mm

Lunghezza

29.95mm

Standard automobilistico

No

Il transistor IGBT Infineon ha una tensione di penetrazione di 650 V. La temperatura di giunzione massima del transistor è di 175 °C.

Migliore efficienza della categoria nelle topologie di commutazione rigida e risonanza

Sostituzione plug-and-play degli IGBT di generazione precedente

Applicabile in convertitori solari, alimentatori continui, convertitori di saldatura

Convertitori di frequenza di commutazione da media a alta gamma

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