IGBT Infineon IGP20N65H5XKSA1, VCE 650 V, IC 20 A, TO-220

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
242-0978
Codice costruttore:
IGP20N65H5XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

20A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Tipo di package

TO-220

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 ±30 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.65V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

10.36 mm

Lunghezza

29.95mm

Altezza

4.57mm

Standard/Approvazioni

JEDEC

Serie

High Speed Fifth Generation

Standard automobilistico

No

Il transistor IGBT Infineon ha una tensione di penetrazione di 650 V. La temperatura di giunzione massima del transistor è di 175 °C.

Migliore efficienza della categoria nelle topologie di commutazione rigida e risonanza

Sostituzione plug-and-play degli IGBT di generazione precedente

Applicabile in convertitori solari, alimentatori continui, convertitori di saldatura

Convertitori di frequenza di commutazione da media a alta gamma

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