IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 38 A, TO-220-3

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Codice RS:
242-0979
Codice costruttore:
IKP28N65ES5XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

38 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

20V

Numero di transistor

1

Dissipazione di potenza massima

130 W

Configurazione

Single

Tipo di package

TO-220-3

IGBT Infineon da 650 V, 28 A con diodo anti-parallelo in contenitore TO-220. È dotato di un'elevata densità di corrente, un'elevata efficienza, cicli di time-to-market più rapidi, riduzione della complessità della progettazione dei circuiti e ottimizzazione del costo dei materiali del circuito stampato.

Dispositivo di commutazione fluida ad alta velocità per commutazione dura e morbida
Temperatura di giunzione massima di 175 °C
Nessun componente di serraggio del gate richiesto

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