IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 25 A, canale N, PG-TO220

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*prezzo indicativo

Codice RS:
226-6079
Codice costruttore:
IKA10N65ET6XKSA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

25 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

30V

Numero di transistor

1

Dissipazione di potenza massima

32,5 W.

Configurazione

Single

Tipo di package

PG-TO220

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Configurazione transistor

Singolo

Infineon IKA10N65ET6 offre buone prestazioni termiche, soprattutto alle frequenze più elevate e un maggiore margine di progettazione e affidabilità. È un diodo Rapid anti-parallelo a recupero rapido e molto morbido.

VCE molto bassa (sat) 1,5 V (tip.)
Temperatura di giunzione massima 175 °C.
Bassa carica di gate QG
Piattaforma senza piombo con conformità alla direttiva RoHS

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