IC a singolo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 25 A, canale Tipo N, TO-220, 3 Pin Foro passante

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Codice RS:
226-6079
Codice costruttore:
IKA10N65ET6XKSA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

IC a singolo transistor IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

25A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

32.5W

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Tensione emettitore gate massima VGEO

30 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.5V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Serie

TrenchStop

Standard automobilistico

No

Infineon IKA10N65ET6 offre buone prestazioni termiche, soprattutto alle frequenze più elevate e un maggiore margine di progettazione e affidabilità. È un diodo Rapid anti-parallelo a recupero rapido e molto morbido.

VCE molto bassa (sat) 1,5 V (tip.)

Temperatura di giunzione massima 175 °C.

Bassa carica di gate QG

Piattaforma senza piombo con conformità alla direttiva RoHS

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