IC a singolo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 25 A, canale Tipo N, TO-220, 3 Pin Foro passante

Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 tubo da 50 unità*

75,60 €

(IVA esclusa)

92,25 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 350 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.

Unità
Per unità
Per Tubo*
50 - 501,512 €75,60 €
100 - 2001,21 €60,50 €
250 - 4501,149 €57,45 €
500 - 9501,089 €54,45 €
1000 +1,043 €52,15 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
226-6079
Codice costruttore:
IKA10N65ET6XKSA2
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Corrente massima continua collettore Ic

25A

Tipo prodotto

IC a singolo transistor IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

32.5W

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Tensione emettitore gate massima VGEO

30 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Serie

TrenchStop

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Infineon IKA10N65ET6 offre buone prestazioni termiche, soprattutto alle frequenze più elevate e un maggiore margine di progettazione e affidabilità. È un diodo Rapid anti-parallelo a recupero rapido e molto morbido.

VCE molto bassa (sat) 1,5 V (tip.)

Temperatura di giunzione massima 175 °C.

Bassa carica di gate QG

Piattaforma senza piombo con conformità alla direttiva RoHS

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.