IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 25 A, canale N, PG-TO220
- Codice RS:
- 226-6080
- Codice costruttore:
- IKA10N65ET6XKSA2
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 226-6080
- Codice costruttore:
- IKA10N65ET6XKSA2
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 25 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 650 V | |
| Tensione massima gate emitter | 30V | |
| Dissipazione di potenza massima | 32,5 W. | |
| Numero di transistor | 1 | |
| Configurazione | Single | |
| Tipo di package | PG-TO220 | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 25 A | ||
Tensione massima collettore emitter 650 V | ||
Tensione massima gate emitter 30V | ||
Dissipazione di potenza massima 32,5 W. | ||
Numero di transistor 1 | ||
Configurazione Single | ||
Tipo di package PG-TO220 | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Infineon IKA10N65ET6 offre buone prestazioni termiche, soprattutto alle frequenze più elevate e un maggiore margine di progettazione e affidabilità. È un diodo Rapid anti-parallelo a recupero rapido e molto morbido.
VCE molto bassa (sat) 1,5 V (tip.)
Temperatura di giunzione massima 175 °C.
Bassa carica di gate QG
Piattaforma senza piombo con conformità alla direttiva RoHS
Temperatura di giunzione massima 175 °C.
Bassa carica di gate QG
Piattaforma senza piombo con conformità alla direttiva RoHS