IC a singolo transistor IGBT Infineon IKA10N65ET6XKSA2, VCE 650 V, IC 25 A, canale Tipo N, TO-220, 3 Pin Foro passante

Visualizza IGBT
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

13,80 €

(IVA esclusa)

16,80 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 380 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 401,38 €13,80 €
50 - 901,312 €13,12 €
100 - 2401,284 €12,84 €
250 - 4901,201 €12,01 €
500 +1,118 €11,18 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
226-6080
Codice costruttore:
IKA10N65ET6XKSA2
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Corrente massima continua collettore Ic

25A

Tipo prodotto

IC a singolo transistor IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

32.5W

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

30 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Serie

TrenchStop

Standard automobilistico

No

Infineon IKA10N65ET6 offre buone prestazioni termiche, soprattutto alle frequenze più elevate e un maggiore margine di progettazione e affidabilità. È un diodo Rapid anti-parallelo a recupero rapido e molto morbido.

VCE molto bassa (sat) 1,5 V (tip.)

Temperatura di giunzione massima 175 °C.

Bassa carica di gate QG

Piattaforma senza piombo con conformità alla direttiva RoHS

Link consigliati