IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 40 A, TO-220 Foro passante
- Codice RS:
- 258-0988
- Codice costruttore:
- IGP40N65F5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 tubo da 50 unità*
73,90 €
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 + | 1,478 € | 73,90 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 258-0988
- Codice costruttore:
- IGP40N65F5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 40A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 650V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 250W | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±20 ±30 V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.6V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 29.95mm | |
| Altezza | 4.57mm | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 40A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 250W | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±20 ±30 V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.6V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 29.95mm | ||
Altezza 4.57mm | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Standard/Approvazioni JEDEC | ||
Standard automobilistico No | ||
L'Infineon hard-switching 650 V, 40 A TRENCHSTOP 5 IGBT discreto in pacchetto TO-247 per esigenze di elevata efficienza. Migliore efficienza della categoria, con conseguente riduzione della temperatura di giunzione e del contenitore che porta a una maggiore affidabilità del dispositivo.
Riduzione di 00 mV in V CE(sat)
Basso C OES/E OSS
Coefficiente di temperatura lieve positivo V CE(sat)
Stabilità della temperatura di V f
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