IGBT Infineon, PG-TO220-3
- Codice RS:
- 258-0995
- Codice costruttore:
- IKA15N60TXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 2 unità*
3,70 €
(IVA esclusa)
4,52 €
(IVA inclusa)
Aggiungi 38 unità per ottenere la consegna gratuita
In magazzino
- 318 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,85 € | 3,70 € |
| 20 - 48 | 1,66 € | 3,32 € |
| 50 - 98 | 1,565 € | 3,13 € |
| 100 - 198 | 1,465 € | 2,93 € |
| 200 + | 1,35 € | 2,70 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 258-0995
- Codice costruttore:
- IKA15N60TXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Dissipazione di potenza massima | 35,7 W | |
| Tipo di package | PG-TO220-3 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Dissipazione di potenza massima 35,7 W | ||
Tipo di package PG-TO220-3 | ||
L'infineon hard-switching 600 V, 15 A TRENCHSTOP IGBT3 discreto co-packed con diodo esterno a ruota libera a pieno titolo in un pacchetto TO-220 Full-Pak, porta a un significativo miglioramento delle prestazioni statiche e dinamiche del dispositivo, grazie alla combinazione del concetto di trench-cell e campo stop. La combinazione di IGBT con diodo controllato da emettitore di recupero morbido riduce ulteriormente le perdite di accensione. La massima efficienza viene raggiunta grazie al miglior compromesso tra la commutazione e le perdite di conduzione.
Diodo controllato da emettitore antiparallelo molto morbido e rapido di recupero
Elevata robustezza, comportamento stabile in termini di temperatura
Basse emissioni EMI
Bassa carica del gate
Distribuzione dei parametri molto stretta
Elevata robustezza, comportamento stabile in termini di temperatura
Basse emissioni EMI
Bassa carica del gate
Distribuzione dei parametri molto stretta