IGBT Fairchild Semiconductor, VCE 450 V, IC 21 A, canale N, TO-220AB

Codice RS:: 166-2175
Codice costruttore:: ISL9V3040P3
Costruttore:: Fairchild Semiconductor

IGBT Fairchild Semiconductor, VCE 450 V, IC 21 A, canale N, TO-220AB

390 Disponibile per la consegna entro 4 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)

2,722 €

(IVA esclusa)

3,321 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per stecca*
50 - 50	2,722 €	136,10 €
100 - 450	2,232 €	111,60 €
500 - 950	1,881 €	94,05 €
1000 - 2450	1,651 €	82,55 €
2500 +	1,61 €	80,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 166-2175
Codice costruttore:: ISL9V3040P3
Costruttore:: Fairchild Semiconductor

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

IGBT discreti, Fairchild Semiconductor

Discreti e moduli IGBT, Fairchild Semiconductor

Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Specifiche

Attributo	Valore
Corrente massima continuativa collettore	21 A
Tensione massima collettore emitter	450 V
Tensione massima gate emitter	±14V
Dissipazione di potenza massima	150 W
Tipo di package	TO-220AB
Tipo di montaggio	Su foro
Tipo di canale	N
Numero pin	3
Configurazione transistor	Singolo
Dimensioni	10.67 x 4.7 x 16.3mm
Minima temperatura operativa	-40 °C
Massima temperatura operativa	+175 °C