IGBT Fairchild Semiconductor, VCE 430 V, IC 21 A, canale N, TO-263, 3 Pin Superficie
- Codice RS:
- 862-9353P
- Codice costruttore:
- ISL9V3040S3ST
- Costruttore:
- Fairchild Semiconductor
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- Codice RS:
- 862-9353P
- Codice costruttore:
- ISL9V3040S3ST
- Costruttore:
- Fairchild Semiconductor
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Fairchild Semiconductor | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 21A | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 430V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 150W | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.6V | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±10 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Serie | EcoSPARK | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Classificazione energetica | 300mJ | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Fairchild Semiconductor | ||
Corrente massima continua collettore Ic 21A | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 430V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 150W | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.6V | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±10 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Serie EcoSPARK | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Classificazione energetica 300mJ | ||
IGBT discreti, Fairchild Semiconductor
Discreti e moduli IGBT, Fairchild Semiconductor
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.