IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 6,5 A, canale N, PG-TO252
- Codice RS:
- 226-6092
- Codice costruttore:
- IKD03N60RFATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
712,50 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,285 € | 712,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 226-6092
- Codice costruttore:
- IKD03N60RFATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 6,5 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 600 V | |
| Tensione massima gate emitter | 20V | |
| Numero di transistor | 1 | |
| Dissipazione di potenza massima | 53,6 W. | |
| Tipo di package | PG-TO252 | |
| Configurazione | Single | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 6,5 A | ||
Tensione massima collettore emitter 600 V | ||
Tensione massima gate emitter 20V | ||
Numero di transistor 1 | ||
Dissipazione di potenza massima 53,6 W. | ||
Tipo di package PG-TO252 | ||
Configurazione Single | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Infineon IKD03N60RF offre una maggiore affidabilità grazie all'IGBT e diodo integrati monoliticamente grazie a un minor numero di cicli termici durante la commutazione. Ha prestazioni di commutazione regolari che portano a un basso livello EMI e la sua gamma di funzionamento è da 4 a 30kHz.
Distribuzione dei parametri molto rigida
Temperatura di giunzione massima 175 °C.
Capacità di corto circuito di 5μs
Temperatura di giunzione massima 175 °C.
Capacità di corto circuito di 5μs
