IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 12 A, canale N, PG-TO252
- Codice RS:
- 226-6073
- Codice costruttore:
- IGD06N60TATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
852,50 €
(IVA esclusa)
1040,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,341 € | 852,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 226-6073
- Codice costruttore:
- IGD06N60TATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 12 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 600 V | |
| Tensione massima gate emitter | 20V | |
| Numero di transistor | 1 | |
| Dissipazione di potenza massima | 88 W | |
| Tipo di package | PG-TO252 | |
| Configurazione | Single | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 12 A | ||
Tensione massima collettore emitter 600 V | ||
Tensione massima gate emitter 20V | ||
Numero di transistor 1 | ||
Dissipazione di potenza massima 88 W | ||
Tipo di package PG-TO252 | ||
Configurazione Single | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Infineon IGD06N60T è un diodo controllato da emettitore anti-parallelo a recupero rapido e molto morbido, caratterizzato da un comportamento stabile in temperatura e robustezza elevata. Ha una bassa perdita di commutazione.
VCE (sat) molto bassa 1,5 V (tip.)
Temperatura di giunzione massima 175 °C.
Tempo di resistenza ai cortocircuiti di 5microsecond
Temperatura di giunzione massima 175 °C.
Tempo di resistenza ai cortocircuiti di 5microsecond