IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 160 A, canale N, PG-TO247

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 tubo da 30 unità*

269,55 €

(IVA esclusa)

328,86 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 19 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Tubo*
30 - 308,985 €269,55 €
60 - 608,536 €256,08 €
90 +8,176 €245,28 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
226-6108
Codice costruttore:
IKQ120N60TXKSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

160 A

Tensione massima collettore emitter

600 V

Tensione massima gate emitter

20V

Dissipazione di potenza massima

833 W.

Numero di transistor

1

Tipo di package

PG-TO247

Configurazione

Single

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Configurazione transistor

Singolo

Infineon IKQ120N60T ha IGBT discreti a commutazione rigida da 600 V con diodo anti-parallelo che utilizza un IC a densità di potenza del sistema più elevata che aumenta mantenendo le stesse prestazioni termiche del sistema e ha una maggiore affidabilità con una durata prolungata del dispositivo.

Area del pad termico attivo più grande del 35% per una resistenza termica inferiore fino al 20% R th(jh)
Distanza di dispersione estesa di 4,25 mm - 2 mm più grande rispetto A TO-247

Link consigliati