IC a singolo transistor IGBT Infineon IHW20N120R5XKSA1, VCE 1.2 kV, IC 20 A, PG-TO-247, 3 Pin

Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 tubo da 240 unità*

397,44 €

(IVA esclusa)

484,80 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 24 giugno 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per Tubo*
240 - 2401,656 €397,44 €
480 +1,573 €377,52 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
244-2913
Codice costruttore:
IHW20N120R5XKSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

IC a singolo transistor IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

20A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1.2kV

Dissipazione di potenza massima Pd

288W

Tipo di package

PG-TO-247

Numero pin

3

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 %

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.55V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC61249-2-21, RoHS

Serie

Resonant Switching

Lunghezza

42mm

Larghezza

16.13mm

Altezza

5.21mm

Standard automobilistico

No

IC a transistor singolo IGBT con commutazione risonante Infineon, tensione massima del collettore-emettitore di 1200 V, corrente massima continua del collettore di 20 A - IHW20N120R5XKSA1


Questo IC a transistor singolo IGBT è un dispositivo di commutazione ad alta tensione progettato per la conversione di potenza e il controllo in sistemi elettrici impegnativi. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è progettato per applicazioni che richiedono una gestione di tensione elevata e una notevole capacità di corrente continua. Il componente è fornito in una confezione PG-TO-247 ed è conforme alle norme specifiche sui materiali e sulle sostanze pericolose.

Caratteristiche e vantaggi:


• La resistenza collettore-emettitore di 1200 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di collettore continua di 20 A supporta un'erogazione di potenza sostenuta
• 1,55 V Vce(sat) riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento in stato attivo
• La dissipazione di potenza massima di 288 W consente un margine termico per carichi pesanti
• Il valore nominale gate-emitter di ±20 V consente ampiezze gate-drive standard
• Funziona da -40 °C a 175 °C per una maggiore resilienza termica

Applicazioni


• Adatto per topologie di commutazione risonante nei convertitori di potenza
• Utilizzato per ruoli di transistor IGBT da 1200 V 20 A in inverter industriali
• Ideale per moduli IGBT da 288 W ad alta potenza negli azionamenti dei motori
• Può essere utilizzato per la sostituzione dei moduli IGBT PG-TO-247 negli assemblaggi
• Adatto per ambienti IGBT ad alta temperatura da -40 a 175 °C

Quale confezione è fornita per un facile montaggio su scheda o dissipatore?


È fornito in un contenitore PG-TO-247 adatto per il montaggio a foro passante standard e dissipatore convenzionale.

Quali sono gli standard sui materiali e sulle sostanze pericolose che soddisfa?


Il dispositivo è conforme alla direttiva RoHS e soddisfa le specifiche dei materiali IEC 61249-2-21.

Quale limite elettrico definisce la sicurezza del gate drive?


La tensione gate-emettitore è limitata a ±20 V per evitare lo stress da ossido gate.

In che modo i progettisti devono valutare la capacità termica per un funzionamento prolungato?


Utilizzare la dissipazione di potenza nominale massima di 288 W per dissipatori di calore e raffreddamento per carichi continui.

Quali temperature estreme può tollerare il dispositivo durante il funzionamento?


Funziona da un minimo di -40 °C a un massimo di 175 °C per le applicazioni a temperatura elevata.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.